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Samsung promeut la stratégie du «super gap»: la création d'un groupe de travail sur la mémoire flash

Selon les médias coréens etnews, Samsung Electronics a commencé à mettre en œuvre la stratégie dite "Super Gap" pour l'industrie mondiale de la mémoire flash NAND. Il est rapporté que Samsung Electronics a mis en place un groupe de travail spécial pour améliorer l'avantage concurrentiel de sa technologie NAND 3D 128 couches de sixième génération.

Bien que Samsung Electronics ait été le premier à remporter la compétition sur le marché des mémoires flash NAND à 128 couches, la société travaille toujours dur pour améliorer le rendement du produit.

Il est entendu que les membres de ce groupe de travail spécial comprennent le Centre de technologie de fabrication Samsung Device Solutions (SDS) et les cadres et employés du département responsables de la production de mémoire flash NAND. L'industrie estime que la raison pour laquelle Samsung Electronics a créé un tel groupe de travail composé de personnel clé pour participer à la production de mémoire flash NAND est d'augmenter la sortie de la mémoire flash NAND de 6e génération autant que possible.

Bien que Samsung Electronics ait dominé le marché mondial de la mémoire flash NAND et détienne plus de 30% de part de marché, des concurrents tels que Changjiang Storage et Intel ont récemment lancé leurs propres 100+ couches de mémoire flash NAND, donc ce fabricant de puces coréen Le revendeur cherche à mettre en œuvre la stratégie "Super Gap".

Il est également rapporté que Samsung devrait achever le développement et la production de 160 couches ou plus de puces dans un avenir proche.