Samsung pour introduire une machine à lithographie High NA EUV au début de 2025, accélérant le développement de la puce 1 nm

Samsung Electronics se serait préparé à apporter sa première machine à lithographie High Na EUV (Extreme Ultraviolet) au début de 2025, marquant une progression majeure pour le géant de la technologie coréenne dans la fabrication de semi-conducteurs de pointe.Cette technologie révolutionnaire, fournie exclusivement par la société néerlandaise ASML, est cruciale pour les processus inférieurs à 2 nm.Les observateurs de l'industrie en Corée prévoient que Samsung accélérera ses efforts pour commercialiser la technologie des puces 1 nm.

Chaque machine à lithographie High Na EUV est au prix d’environ 350 millions de dollars, nettement supérieure à la série EUV standard d’ASML, qui coûte entre 180 et 200 millions de dollars.Avec une résolution de 8 nm et une densité de transistor trois fois celle des systèmes à faible teneur en NA, les machines EUV élevées offrent une valeur énorme.

Le premier dispositif High Na EUV de Samsung, le modèle EXE: 5000 d'ASML, devrait être livré au début de 2025. Compte tenu des exigences d'installation complexes de l'équipement semi-conducteur, entraînant souvent de longues phases de test, l'EXE: 5000 devrait être opérationnel au deuxième trimestrede 2025.

La technologie High NAUV dépasse les systèmes EUV existants, permettant la création de conceptions de circuits plus précises qui conviennent aux puces en dessous du seuil de 5 nm, telles que les semi-conducteurs système pour les CPU et les GPU.Alors que l'EUV standard prend en charge les nœuds jusqu'à 5 nm, un NAUV élevé peut atteindre des tailles inférieures à 2 nm, améliorant les performances et réduisant les passes d'exposition, ce qui réduit les coûts de production.Des recherches récentes du Belgique IMEC en collaboration avec ASML ont démontré qu'une seule exposition élevée à l'EUV peut produire un circuit logique et mémoire complet.

Ce développement marque la première incursion de Samsung dans la technologie élevée de NA EUV, après avoir effectué des recherches sur le traitement de circuits en collaboration avec IMEC.Samsung vise à tirer parti de son propre équipement pour accélérer le développement avancé des nœuds, ciblant la commercialisation du processus de 1,4 nm d'ici 2027, ouvrant potentiellement la voie à la production de 1 nm.

À l'échelle mondiale, la compétition se réchauffe parmi les géants des semi-conducteurs comme TSMC, Intel et Samsung, alors qu'ils se précipitent pour acquérir un équipement élevé de l'EUV pour les processus inférieurs à 2 nm.Intel a ouvert la voie en acquérant la première machine High Na EUV en décembre 2023, avec TSMC après le troisième trimestre de 2024. Bien que l'ordre de Samsung soit venu plus tard, la production stable peut s'avérer cruciale pour établir un leadership de l'industrie.

Samsung prévoit d'utiliser l'équipement élevé de l'EUV qu'il reçoit au début de 2025 à des fins de recherche, avec l'intention d'introduire des équipements de production dédiés peu de temps après.Au cours d'une réunion du troisième trimestre 2024 avec ASML, Samsung a indiqué qu'il reconsidait le nombre de machines à haute teneur en EUV qu'il avait initialement prévus de se procurer, réduisant potentiellement l'ordre initial de deux unités.La société avait initialement l'intention d'amener l'EXE: 5000 au quatrième trimestre de 2024, avec des modèles ultérieurs EXE: 5200, EXE: 5400 et EXE: 5600 qui devraient être introduits au cours de la prochaine décennie.